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瀏覽所有技術文章、失效案例研究與半導體產業洞察。
元析科技受邀參加 IEEE CSTIC 會議並發表主題演講
元析科技受邀參加 SEMICON China 舉辦的 IEEE CSTIC 會議，發表 "Advanced Interconnects: Better than Cu" 主題演講
半導體產業的隱藏規模：被低估的市場真相
麥肯錫修正分析指出2024年半導體市場實際規模達7,750億美元，2030年可望攀升至1.6兆美元
電子顯微鏡揭示半導體中的「鼠咬」缺陷
電子疊層繞射成像術首次以三維原子解析度直接觀測電晶體閘極介電界面的「鼠咬」粗糙缺陷，與 TSMC 及 ASM 合作完成。
FIB-SEM 高精度製備 3D NAND 穿透式電子顯微鏡試片
JEOL JIB-PS500i FIB-SEM 系統可傾斜超過 90° 的載台，允許不取出試片直接 STEM 驗證，從三個截面方向完成 3D NAND 奈米結構分析。
通過人工智能提升 4D-STEM 效率
透過整合先進的子取樣演算法與即時影像重建，SenseAI 使 4D-STEM 研究人員能更快速且更有效率地捕捉高品質數據。
當談論球差校正透射電鏡時，我們在談論什麼？
介紹球差校正透射電鏡的原理、優勢、應用及發展，回答球差校正透射電鏡的核心問題。
TSMC 的記憶長河：半導體巨頭的崛起
Techinsights 長文解讀 TSMC 歷程，從晶圓代工模式的誕生，到引領全球先進製程的技術演進故事。
半導體失效分析（下）：案例分享
結合具體案例，闡述失效分析理論如何在實際工作中指導操作，從失效信號出發，逐步定位分析。
半導體失效分析（上）：理念與策略
1% 的投資，撬動 100% 的品質！20餘年分析實驗室管理經驗，分享對 FA 投資與策略的觀察。
imec: 3D NAND 在 z 方向的截距縮放
3D 全包覆閘極（GAA）記憶體單元架構，深入探討 z 方向縮放極限與突破路徑。
AFM 納米壓痕技術
在不依賴昂貴電子顯微鏡的情況下，達到更小量測尺度並具備優異成像能力的 AFM 壓痕方案。
Carl Zeiss 顯微鏡用於人工生殖技術
探索 Carl Zeiss 顯微鏡技術在輔助生殖領域的應用，從精子注射到胚胎培養的精密光學突破。
原子級成像 50 年（2005年）
1955年，Erwin W. Müller 和 Kanwar Bahadur 成功實現單原子成像，開啟原子世界的視窗。
什麼樣的問題值得研究？
「只要我們真的能有所作為，沒有任何問題太小或太瑣碎。」費曼對研究價值的深刻思考，歷久彌新。