探索最新的材料分析技術、失效案例研究以及半導體產業趨勢。
從摩爾定律到 Dennard 縮放、光刻路線圖、先進封裝、互連 RC 延遲，回顧 τ 縮放理論登場前的四條技術路線圖。
從 Dennard 發明單電晶體 DRAM，到 1T1C 架構面臨微縮極限，回顧 DRAM 五十年演進史與即將到來的變革。
深入探討 4F² 單元、垂直溝道電晶體、3D DRAM、IGZO 材料、DDR/HBM 架構演進，以及各大廠商的技術佈局。
imec 發佈最新邏輯晶片路線圖，橫跨電晶體架構、EUV 光刻、背面供電、3D 堆疊五大維度，描繪 2041 年的晶片藍圖。
元析科技受邀參加 SEMICON China 舉辦的 IEEE CSTIC 會議，發表 "Advanced Interconnects: Better than Cu" 主題演講。
麥肯錫分析指出半導體市場2024年實際規模達7,750億美元，遠超傳統估計，預計2030年將攀升至1.6兆美元。
康乃爾大學研究團隊利用電子疊層繞射成像術，首次以三維原子解析度直接觀測到電晶體閘極介電界面的「鼠咬」粗糙缺陷。
JEOL 展示如何運用 JIB-PS500i FIB-SEM 系統，對 3D NAND 快閃記憶體進行高精度 TEM 試片製備。其可傾斜超過 90° 的載台，允許在不取出試片的情況下直接進行 STEM 驗證，從三個截面方向完成分析，大幅提升奈米級半導體元件的品質檢測效率。
透過整合先進的子取樣演算法與即時影像重建，SenseAI 使 4D-STEM 研究人員能更快速且更有效率地捕捉高品質數據，同時維護即使是最脆弱樣本的完整性。
介紹球差校正透射電鏡的原理、優勢、應用及發展，來回答“什麼是球差校正透射電鏡”，“球差校正透射電鏡有什麼突出作用”，“球差校正透射電鏡除了拍原子還能做什麼”這三個問題。
結合具體案例，具體闡述這些理論如何在實際工作中指導我們，從最初的失效信號出發，逐步定位、分析，最終找到問題根源並推動解決方案的形成。
1955年10月11日，宾夕法尼亚州立大学的物理学教授Erwin W. Müller和他的博士生Kanwar Bahadur创造了历史——成功實現單原子成像。
