探索最新的材料分析技術、失效案例研究以及半導體產業趨勢。
康乃爾大學研究團隊利用電子疊層繞射成像術，首次以三維原子解析度直接觀測到電晶體閘極介電界面的「鼠咬」粗糙缺陷。
JEOL 展示如何運用 JIB-PS500i FIB-SEM 系統，對 3D NAND 快閃記憶體進行高精度 TEM 試片製備。其可傾斜超過 90° 的載台，允許在不取出試片的情況下直接進行 STEM 驗證，從三個截面方向完成分析，大幅提升奈米級半導體元件的品質檢測效率。
透過整合先進的子取樣演算法與即時影像重建，SenseAI 使 4D-STEM 研究人員能更快速且更有效率地捕捉高品質數據，同時維護即使是最脆弱樣本的完整性。
介紹球差校正透射電鏡的原理、優勢、應用及發展，來回答“什麼是球差校正透射電鏡”，“球差校正透射電鏡有什麼突出作用”，“球差校正透射電鏡除了拍原子還能做什麼”這三個問題。
結合具體案例，具體闡述這些理論如何在實際工作中指導我們，從最初的失效信號出發，逐步定位、分析，最終找到問題根源並推動解決方案的形成。
1955年10月11日，宾夕法尼亚州立大学的物理学教授Erwin W. Müller和他的博士生Kanwar Bahadur创造了历史——成功實現單原子成像。
